Ổ cứng SSD Samsung 990 PRO Heatsink 4TB M.2 NVMe MZ-V9P4T0CW

Mã SP: | Đánh giá | Lượt xem: 146 Tình trạng: Đặt hàng

Hình dạng: M.2 (2280)
Kích thước: 80,15 x 25 x 8,88mm (kèm tản nhiệt)
Trọng lượng: Tối đa 28 gam
Dung lượng bộ nhớ: Samsung V-NAND TLC
Capacity: 4,000GB
Giao diện: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Đọc tuần tự lên tới 7.450 MB/s
Ghi tuần tự lên tới 6.900 MB/s
Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32): Lên tới 1.600.000 IOPS
Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32): Lên tới 1.550.000 IOPS
Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD1): Lên tới 22.000 IOPS
Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD1): Lên tới 80.000 IOPS

Bảo hành: 60 tháng

Giá niêm yết:	~~12.990.000 VNĐ~~
Giá khuyến mại:	10.450.000 VNĐ [Giá đã có VAT] -20%

Phiên bản khác

1TB tản nhiệt 2TB 4TB tản nhiệt

KHUYẾN MÃI: ***** Tặng ngay 100.000đ cho đơn hàng Laptop mua kèm Máy in Epson.
=================================

- Sản phẩm không hỗ trợ miễn phí quẹt thẻ, không miễn phí giao hàng

Xem thêm >

TRẢ GÓP LÃI SUẤT ƯU ĐÃI Tư vấn thủ tục nhanh chỉ sau 15 phút LIÊN HỆ CỬA HÀNG

MUA TRẢ GÓP

Bán hàng Online

Mr Vượng: 082 9981 222

Mr Tuyền: 0825 999 688

Showroom1: Số 25 Yên Lãng - Đống Đa - HN

Mr Phúc: 0815 999 688

Mr Công: 0922 744 999

Showroom2: Số 105 Mễ Trì Thượng - Từ Liêm - HN

Mr Vượng: 082 9981 222

Mr Tuyền: 0825 999 688

TÌNH TRẠNG HÀNG HÓA

Hàng đang có tại:

Liên hệ

YÊN TÂM MUA SẮM TẠI AN KHANG

Giao hàng miễn phí (chi tiết)
Sản phẩm 100% chính hãng
Bảo hành tại nơi sử dụng **
Giá cạnh tranh nhất thị trường
Trả góp lãi suất 0%

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

Ổ cứng SSD Samsung 990 PRO Heatsink 4TB M.2 NVMe MZ-V9P4T0CW
Tổng quan
Hình dạng thiết bị	M.2 (2280)
Kích thước (RxCxS)	80,15 x 25 x 8,88mm (kèm tản nhiệt)
Trọng lượng	Tối đa 28 gam
Dung lượng bộ nhớ	Samsung V-NAND TLC
Bộ điều khiển	Samsung sản xuất nội bộ
Tính năng chung
Mục đích sử dụng	Máy tính cá nhân, Máy Chơi Game
Capacity	4,000GB (1 GB = 1 tỷ byte theo IDEMA) * Dung lượng sử dụng thực tế có thể ít hơn (do định dạng, phân vùng, hệ điều hành, ứng dụng, v.v.)
Giao diện	PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Bộ điều khiển	Samsung sản xuất nội bộ
Bộ nhớ Cache	Samsung 4GB DDR4 SDRAM công suất thấp
Tính năng đặc biệt
Hỗ trợ TRIM	Có
Hỗ trợ S.M.A.R.T	Có
GC (Bộ thu gom rác)	Thuật toán thu gom rác tự động
Hỗ trợ mã hóa	Mã hóa AES 256-bit (Lớp 0)TCG/Opal IEEE1667 (Ổ đĩa được mã hóa)
Hỗ trợ WWN	Không
Chế độ chờ	Có
Công suất
Tốc độ đọc tuần tự	Lên tới 7.450 MB/s * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Tốc độ ghi tuần tự	Lên tới 6.900 MB/s * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống ** Được đo bằng công nghệ Intelligent TurboWrite đang được kích hoạt
Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32)	Lên tới 1.600.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32)	Lên tới 1.550.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD1)	Lên tới 22.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD1)	Lên tới 80.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Môi trường
Tiêu thụ điện năng trung bình (Mức hệ thống)	Trung bình: 6,5 W * Tối đa: 8,6 W (Chế độ truyền tốc độ cao) * Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Tiêu thụ điện năng (không tải)	Tối đa 55 mW * Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống
Điện áp cho phép	3,3 V ± 5 % Điện áp cho phép
Độ tin cậy (MTBF)	Bền bỉ 1,5 triệu giờ (MTBF)
Nhiệt độ vận hành	0 - 70℃
Va chạm	1.500 G & 0,5 ms (Nửa chu kỳ hình sin)
Phần mềm
Phần mềm quản lý	Phần mềm Magician để quản lý SSD